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    碳化硅晶圓你又了解多少
    作者:admin    發布日期:2020/10/14     關注次數:     二維碼分享

    隨著 5G、萬物聯網時代來臨,電動車等新應用興起,功率半導體需求也日益增溫,氮化鎵 (GaN)、碳化硅 (SiC)、 等化合物半導體材料躍升成市場焦點;從上游的半導體晶圓來看,碳化硅晶圓是勢頭正熱的新材料,不過,究竟是什麼原因,讓既有廠商與新進者,爭相擴產?一起和大同碳化硅了解一下吧

    從化合物半導體優勢說起

    半導體材料歷經 3 個發展階段,一代是硅 (Si)、鍺 (Ge) 等基礎功能材料;二代開始進入由 2 種以上元素組成的化合物半導體材料,以砷化鎵 (GaAs)、磷化銦 (InP) 等為代表;第三代則是氮化鎵 (GaN)、碳化硅 (SiC) 等寬頻化合物半導體材料。


    碳化硅晶圓

    目前全球 95% 以上的半導體元件,都是以硅作為基礎功能材料的硅基半導體,不過,隨著電動車、5G 等新應用,對電路高頻率、高功率元件需求成長,硅基半導體因受限硅材料的物理性質,在性能上有不易突破的瓶頸,也讓廠商開始著眼性能更優異的新材料,爭相投入化合物半導體領域。
    近來再度成為市場焦點的,便是第三代半導體材料氮化鎵與碳化硅,其屬于寬能帶隙材料,具有高頻、耐高電壓、耐高溫等優勢,且導電性、散熱性佳,可降低能量耗損,元件體積相對較小,適合功率半導體應用。

    由于在高電壓功率元件應用上,硅基元件因導通電阻過大,往往造成電能大量損耗,但硅材料遭遇瓶頸之下,氮化鎵、碳化硅導通電阻遠小于硅基材料,導通損失、切換損失降低,取而代之的是更高的能源轉換效率,挾著高頻、高壓等優勢,氮化鎵、碳化硅崛起成為 5G 時代的半導體材料明日之星。

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